Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
22A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
160mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
39nC
Maximum Power Dissipation Pd
190W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.15mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 9,70
€ 4,85 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 11,74
€ 5,868 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

€ 9,70
€ 4,85 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 11,74
€ 5,868 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
2

| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,85 | € 9,70 |
| 20 - 98 | € 3,95 | € 7,90 |
| 100 - 198 | € 3,00 | € 6,00 |
| 200+ | € 2,70 | € 5,40 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
22A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
160mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
39nC
Maximum Power Dissipation Pd
190W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.15mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.