Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.25mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 3,60
€ 0,719 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,35
€ 0,87 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 3,60
€ 0,719 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,35
€ 0,87 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,719 | € 3,60 |
| 50 - 120 | € 0,605 | € 3,02 |
| 125 - 495 | € 0,448 | € 2,24 |
| 500 - 2495 | € 0,395 | € 1,98 |
| 2500+ | € 0,36 | € 1,80 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.25mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas