Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
12V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.25mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 3,62
€ 0,723 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,38
€ 0,875 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 3,62
€ 0,723 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,38
€ 0,875 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,723 | € 3,62 |
| 50 - 120 | € 0,608 | € 3,04 |
| 125 - 495 | € 0,451 | € 2,26 |
| 500 - 2495 | € 0,397 | € 1,98 |
| 2500+ | € 0,362 | € 1,81 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
12V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.25mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas