Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOIC
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-12, +12V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.5nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Standards/Approvals
No
Plotis
4mm
Aukštis
1.25mm
Ilgis
5mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 3,72
€ 0,743 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,50
€ 0,899 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 3,72
€ 0,743 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,50
€ 0,899 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,743 | € 3,72 |
| 50 - 120 | € 0,626 | € 3,13 |
| 125 - 495 | € 0,463 | € 2,32 |
| 500 - 2495 | € 0,408 | € 2,04 |
| 2500+ | € 0,372 | € 1,86 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOIC
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-12, +12V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.5nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Standards/Approvals
No
Plotis
4mm
Aukštis
1.25mm
Ilgis
5mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas