Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
17nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.65mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 45,45
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 54,99
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
€ 45,45
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 54,99
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
17nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.65mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
