Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
17nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.65mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 9,19
€ 0,919 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 11,12
€ 1,112 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 9,19
€ 0,919 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 11,12
€ 1,112 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
17nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.65mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.