Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Minimali darbinė temperatūra
150°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Maksimali darbinė temperatūra
-55°C
Transistor Configuration
Isolated
Aukštis
1.25mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 12,75
€ 2,55 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 15,43
€ 3,086 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 12,75
€ 2,55 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 15,43
€ 3,086 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,55 | € 12,75 |
| 10 - 20 | € 2,30 | € 11,50 |
| 25 - 95 | € 2,15 | € 10,75 |
| 100 - 495 | € 1,70 | € 8,50 |
| 500+ | € 1,45 | € 7,25 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Minimali darbinė temperatūra
150°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Maksimali darbinė temperatūra
-55°C
Transistor Configuration
Isolated
Aukštis
1.25mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas