Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Minimali darbinė temperatūra
150°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Maksimali darbinė temperatūra
-55°C
Transistor Configuration
Isolated
Aukštis
1.25mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 13,00
€ 2,60 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 15,73
€ 3,146 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
€ 13,00
€ 2,60 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 15,73
€ 3,146 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,60 | € 13,00 |
| 50 - 120 | € 2,20 | € 11,00 |
| 125+ | € 1,75 | € 8,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOIC
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Minimali darbinė temperatūra
150°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Maksimali darbinė temperatūra
-55°C
Transistor Configuration
Isolated
Aukštis
1.25mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
