Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOIC
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
2.7W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Aukštis
1.5mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 50,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 60,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
€ 50,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 60,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOIC
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
2.7W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Aukštis
1.5mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
