Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOIC
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
2.7W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Aukštis
1.5mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 10,00
€ 1,00 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 12,10
€ 1,21 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10
€ 10,00
€ 1,00 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 12,10
€ 1,21 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOIC
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
2.7W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Aukštis
1.5mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
