Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.3mm
Ilgis
3.04mm
Standards/Approvals
No
Plotis
1.75mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 94,50
€ 0,34 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 114,34
€ 0,411 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
250

€ 94,50
€ 0,34 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 114,34
€ 0,411 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
250

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 500 - 1200 | € 0,34 | € 17,00 |
| 1250+ | € 0,279 | € 13,95 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.3mm
Ilgis
3.04mm
Standards/Approvals
No
Plotis
1.75mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.