Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.3mm
Ilgis
3.04mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 88,75
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 107,39
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
250

€ 88,75
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 107,39
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
250

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.3mm
Ilgis
3.04mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas