Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
2.3A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Serija
STripFET V
Pakuotės tipas
SOT-23
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
40mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-8, +8V
Forward Voltage Vf
1.1V
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Standards/Approvals
No
Plotis
1.75mm
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.3mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 6,85
€ 0,685 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 8,29
€ 0,829 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 6,85
€ 0,685 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 8,29
€ 0,829 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,685 | € 6,85 |
| 100 - 490 | € 0,459 | € 4,59 |
| 500 - 990 | € 0,368 | € 3,68 |
| 1000 - 2990 | € 0,328 | € 3,28 |
| 3000+ | € 0,298 | € 2,98 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
2.3A
Maximum Drain Source Voltage Vds
20V
Serija
STripFET V
Pakuotės tipas
SOT-23
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
40mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-8, +8V
Forward Voltage Vf
1.1V
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Power Dissipation Pd
350mW
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Standards/Approvals
No
Plotis
1.75mm
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.3mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.