Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Diode
Mount Type
Through Hole
Pakuotės tipas
DO-247
Maximum Continuous Forward Current If
20A
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm
650V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky
Kaiščių skaičius
2
Peak Reverse Current Ir
2mA
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm
400A
Maximum Forward Voltage Vf
1.65V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
A Silicon Carbide (SiC) diode is an ultra-high performance power Schottky rectifier. These parts with the -Y suffix to the part number, are of automotive quality, compliant with AEC-Q101.
AEC-Q101
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 7,30
€ 7,30 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 8,83
€ 8,83 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1

€ 7,30
€ 7,30 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 8,83
€ 8,83 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1

| kiekis | Vieneto kaina |
|---|---|
| 1 - 9 | € 7,30 |
| 10+ | € 4,30 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Diode
Mount Type
Through Hole
Pakuotės tipas
DO-247
Maximum Continuous Forward Current If
20A
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm
650V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky
Kaiščių skaičius
2
Peak Reverse Current Ir
2mA
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm
400A
Maximum Forward Voltage Vf
1.65V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
A Silicon Carbide (SiC) diode is an ultra-high performance power Schottky rectifier. These parts with the -Y suffix to the part number, are of automotive quality, compliant with AEC-Q101.
AEC-Q101