Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh K6
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.6Ω
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25.9nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 9,40
€ 2,50 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 11,37
€ 3,02 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
2
€ 9,40
€ 2,50 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 11,37
€ 3,02 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
2
| kiekis | Vieneto kaina |
|---|---|
| 10 - 99 | € 2,50 |
| 100 - 499 | € 2,30 |
| 500+ | € 2,15 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh K6
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.6Ω
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25.9nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
