Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
5.2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh, SuperMESH
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.8Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
40nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-30, +30V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 11,75
€ 2,35 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 14,22
€ 2,844 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5

€ 11,75
€ 2,35 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 14,22
€ 2,844 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5

| kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,35 | € 11,75 |
| 50 - 245 | € 1,45 | € 7,25 |
| 250 - 495 | € 1,10 | € 5,50 |
| 500+ | € 1,00 | € 5,00 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
5.2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh, SuperMESH
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.8Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
40nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-30, +30V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas