Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Aukštis
9.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 2,71
€ 2,71 už 1 vnt. (be PVM)
€ 3,28
€ 3,28 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 2,71
€ 2,71 už 1 vnt. (be PVM)
€ 3,28
€ 3,28 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 2,71 |
10 - 99 | € 2,28 |
100 - 499 | € 1,80 |
500 - 999 | € 1,52 |
1000+ | € 1,28 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Aukštis
9.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.