
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
14mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
15V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 12,25
€ 2,45 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 14,82
€ 2,964 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 12,25
€ 2,45 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 14,82
€ 2,964 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
5

| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,45 | € 12,25 |
| 50 - 245 | € 1,45 | € 7,25 |
| 250 - 495 | € 1,00 | € 5,00 |
| 500+ | € 0,784 | € 3,92 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
14mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
15V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.