Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
95W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-16, +16V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 20,50
€ 1,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 24,80
€ 1,452 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

€ 20,50
€ 1,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 24,80
€ 1,452 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,20 | € 6,00 |
| 250 - 495 | € 0,84 | € 4,20 |
| 500+ | € 0,654 | € 3,27 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
95W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-16, +16V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.