Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
50A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
44.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 8,78
€ 0,878 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 10,62
€ 1,062 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

€ 8,78
€ 0,878 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 10,62
€ 1,062 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
|---|---|---|
| 10 - 15 | € 0,878 | € 4,39 |
| 20 - 45 | € 0,842 | € 4,21 |
| 50 - 95 | € 0,811 | € 4,06 |
| 100+ | € 0,676 | € 3,38 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
50A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
44.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas