Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
MDmesh DM2
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
93 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Ilgis
10.4mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 200,00
€ 4,00 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 242,00
€ 4,84 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 200,00
€ 4,00 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 242,00
€ 4,84 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
50

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
MDmesh DM2
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
93 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Ilgis
10.4mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas