Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
9.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,46
€ 1,092 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 6,61
€ 1,321 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5

€ 5,46
€ 1,092 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 6,61
€ 1,321 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,092 | € 5,46 |
25 - 95 | € 0,62 | € 3,10 |
100 - 245 | € 0,477 | € 2,38 |
250 - 495 | € 0,457 | € 2,28 |
500+ | € 0,417 | € 2,09 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
9.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas