Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET H7
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
15.75mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 46,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,66
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 46,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,66
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET H7
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
15.75mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.