Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
TO-220
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
15.75mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 10,60
€ 5,30 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 12,83
€ 6,413 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

€ 10,60
€ 5,30 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 12,83
€ 6,413 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
2

| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 5,30 | € 10,60 |
| 20 - 98 | € 5,20 | € 10,40 |
| 100 - 198 | € 5,00 | € 10,00 |
| 200+ | € 4,35 | € 8,70 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
TO-220
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
15.75mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.