Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
183nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
15.75mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 18,25
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 22,08
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5

€ 18,25
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 22,08
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
183nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
15.75mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas