Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.2mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
160nC
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
15.75mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 42,00
€ 4,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 50,82
€ 5,082 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

€ 42,00
€ 4,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 50,82
€ 5,082 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 4,20 | € 8,40 |
| 20 - 48 | € 4,10 | € 8,20 |
| 50 - 98 | € 4,00 | € 8,00 |
| 100+ | € 3,90 | € 7,80 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.2mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
160nC
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
15.75mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas