Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-220
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.2mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
127nC
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 8,50
€ 4,25 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 10,28
€ 5,142 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
2
€ 8,50
€ 4,25 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 10,28
€ 5,142 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
2
| kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,25 | € 8,50 |
| 20 - 98 | € 3,75 | € 7,50 |
| 100 - 198 | € 3,35 | € 6,70 |
| 200+ | € 2,90 | € 5,80 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-220
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.2mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
127nC
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
