Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
10.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
312W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
172nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 7,20
€ 3,60 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 8,71
€ 4,356 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
2

€ 7,20
€ 3,60 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 8,71
€ 4,356 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
2

| kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,60 | € 7,20 |
| 20 - 98 | € 2,90 | € 5,80 |
| 100 - 198 | € 2,20 | € 4,40 |
| 200+ | € 1,95 | € 3,90 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
10.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
312W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
172nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
9.15mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.