Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
3A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOT-223
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
160mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.6W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6.4nC
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
1.8mm
Ilgis
6.7mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 40,85
€ 0,542 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 49,43
€ 0,656 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
€ 40,85
€ 0,542 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 49,43
€ 0,656 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,542 | € 5,42 |
| 500 - 990 | € 0,424 | € 4,24 |
| 1000 - 1990 | € 0,387 | € 3,87 |
| 2000+ | € 0,379 | € 3,79 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
3A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
SOT-223
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
160mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.6W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6.4nC
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
1.8mm
Ilgis
6.7mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
