Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
600mA
Maximum Drain Source Voltage Vds
450V
Pakuotės tipas
SOT-223
Serija
MDmesh K3, SuperMESH3
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.8Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-30, +30V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.8mm
Ilgis
6.7mm
Standards/Approvals
No
Plotis
3.7mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 32,80
€ 0,328 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 39,69
€ 0,397 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 32,80
€ 0,328 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 39,69
€ 0,397 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,328 | € 3,28 |
| 500 - 990 | € 0,259 | € 2,59 |
| 1000 - 1990 | € 0,235 | € 2,35 |
| 2000+ | € 0,22 | € 2,20 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
600mA
Maximum Drain Source Voltage Vds
450V
Pakuotės tipas
SOT-223
Serija
MDmesh K3, SuperMESH3
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.8Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-30, +30V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.8mm
Ilgis
6.7mm
Standards/Approvals
No
Plotis
3.7mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas