Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Serija
STripFET F7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
94W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
0.95mm
Ilgis
5.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.35mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 72,50
€ 1,00 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 87,72
€ 1,21 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

€ 72,50
€ 1,00 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 87,72
€ 1,21 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 1,00 | € 10,00 |
| 500+ | € 0,824 | € 8,24 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Serija
STripFET F7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
94W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
0.95mm
Ilgis
5.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.35mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.