Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
19mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
100W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
0.95mm
Ilgis
6.35mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.4mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 13,50
€ 1,35 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 16,34
€ 1,634 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 13,50
€ 1,35 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 16,34
€ 1,634 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,35 | € 13,50 |
| 100 - 490 | € 0,898 | € 8,98 |
| 500 - 990 | € 0,714 | € 7,14 |
| 1000 - 2990 | € 0,674 | € 6,74 |
| 3000+ | € 0,652 | € 6,52 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
19mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
100W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
0.95mm
Ilgis
6.35mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.4mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.