Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
16.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
950μm
Ilgis
5.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 46,25
€ 1,50 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,96
€ 1,815 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 46,25
€ 1,50 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,96
€ 1,815 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,50 | € 7,50 |
| 250 - 495 | € 1,15 | € 5,75 |
| 500+ | € 1,00 | € 5,00 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
16.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
5W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
950μm
Ilgis
5.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.