Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
30A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
35mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
75W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.35mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.4mm
Aukštis
0.95mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 4,09
€ 0,818 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,95
€ 0,99 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 4,09
€ 0,818 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,95
€ 0,99 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
5

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
30A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
35mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
75W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.35mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.4mm
Aukštis
0.95mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.