Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
140A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Serija
STripFET F7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
2mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
55nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
0.95mm
Ilgis
6.15mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.2mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 73,75
€ 2,65 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 89,24
€ 3,206 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 73,75
€ 2,65 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 89,24
€ 3,206 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,65 | € 13,25 |
| 125+ | € 2,20 | € 11,00 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
140A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
PowerFLAT
Serija
STripFET F7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
2mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
55nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
0.95mm
Ilgis
6.15mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.2mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.