Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1500V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
MDmesh
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
9Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.3nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
10.4mm
Aukštis
4.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 54,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 65,34
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 54,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 65,34
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1500V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
MDmesh
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
9Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.3nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
10.4mm
Aukštis
4.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
