Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
H2PAK
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
15.25mm
Standards/Approvals
No
Plotis
10.4mm
Aukštis
4.8mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 60,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 72,60
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 60,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 72,60
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
H2PAK
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
15.25mm
Standards/Approvals
No
Plotis
10.4mm
Aukštis
4.8mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.