Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
15.8mm
Standards/Approvals
No
Plotis
10.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 9,90
€ 4,95 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 11,98
€ 5,99 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2
€ 9,90
€ 4,95 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 11,98
€ 5,99 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
15.8mm
Standards/Approvals
No
Plotis
10.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
