Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
H2PAK
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
15.8mm
Standards/Approvals
No
Aukštis
4.8mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 9,90
€ 4,95 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 11,98
€ 5,99 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
€ 9,90
€ 4,95 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 11,98
€ 5,99 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
2
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
H2PAK
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
15.8mm
Standards/Approvals
No
Aukštis
4.8mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
