Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
193nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
15.8mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 48,00
€ 4,25 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 58,08
€ 5,142 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 48,00
€ 4,25 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 58,08
€ 5,142 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 4,25 | € 8,50 |
| 100 - 198 | € 3,80 | € 7,60 |
| 200+ | € 3,25 | € 6,50 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
193nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
15.8mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.