Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
193nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 47,50
€ 4,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 57,48
€ 5,082 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 47,50
€ 4,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 57,48
€ 5,082 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 4,20 | € 8,40 |
| 100 - 198 | € 3,75 | € 7,50 |
| 200+ | € 3,20 | € 6,40 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
193nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.