Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Serija
STH200
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 68,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 82,28
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 68,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 82,28
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Serija
STH200
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
