Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Serija
STH200
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 4 900,00
€ 4,90 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 5 929,00
€ 5,929 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 4 900,00
€ 4,90 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 5 929,00
€ 5,929 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Serija
STH200
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
