Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 36,50
€ 3,65 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 44,16
€ 4,416 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 36,50
€ 3,65 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 44,16
€ 4,416 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 3,65 | € 7,30 |
| 20 - 48 | € 3,25 | € 6,50 |
| 50 - 98 | € 2,95 | € 5,90 |
| 100+ | € 2,80 | € 5,60 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
