Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 7,70
€ 3,85 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 9,32
€ 4,658 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
€ 7,70
€ 3,85 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 9,32
€ 4,658 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
2
| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,85 | € 7,70 |
| 20 - 98 | € 3,40 | € 6,80 |
| 100 - 198 | € 3,00 | € 6,00 |
| 200+ | € 2,60 | € 5,20 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
