Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
10.57mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 7,90
€ 3,95 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 9,56
€ 4,78 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

€ 7,90
€ 3,95 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 9,56
€ 4,78 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
2

| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,95 | € 7,90 |
| 20 - 98 | € 3,50 | € 7,00 |
| 100 - 198 | € 3,15 | € 6,30 |
| 200+ | € 2,70 | € 5,40 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
H2PAK
Serija
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
10.57mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.