Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
29A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Pakuotės tipas
TO-220FP
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Kaiščių skaičius
3
Switching Speed
3.8μs
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.75V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
10.4mm
Ilgis
30.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Serija
Low Drop
Energy Rating
8mJ
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 72,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 87,72
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
50
€ 72,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 87,72
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
29A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Pakuotės tipas
TO-220FP
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Kaiščių skaičius
3
Switching Speed
3.8μs
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.75V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
10.4mm
Ilgis
30.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Serija
Low Drop
Energy Rating
8mJ
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
