Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
16.4mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 59,00
€ 5,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 71,39
€ 6,292 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

€ 59,00
€ 5,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 71,39
€ 6,292 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 5,20 | € 10,40 |
| 100 - 198 | € 4,60 | € 9,20 |
| 200+ | € 3,95 | € 7,90 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
16.4mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.