Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
16.4mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 11,80
€ 5,90 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 14,28
€ 7,139 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

€ 11,80
€ 5,90 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 14,28
€ 7,139 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
2

| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 5,90 | € 11,80 |
| 20 - 98 | € 5,20 | € 10,40 |
| 100 - 198 | € 4,65 | € 9,30 |
| 200+ | € 4,00 | € 8,00 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
16.4mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.