Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Serija
FDmesh
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.6mm
Aukštis
16.4mm
Produkto aprašymas
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 114,00
€ 2,28 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 137,94
€ 2,759 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 114,00
€ 2,28 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 137,94
€ 2,759 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Serija
FDmesh
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.6mm
Aukštis
16.4mm
Produkto aprašymas