Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET F3
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
33.5nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 52,50
€ 1,85 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 63,52
€ 2,238 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25
€ 52,50
€ 1,85 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 63,52
€ 2,238 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,85 | € 9,25 |
| 250 - 495 | € 1,65 | € 8,25 |
| 500+ | € 1,45 | € 7,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET F3
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
33.5nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
