Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
16mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
49nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 10,00
€ 2,00 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 12,10
€ 2,42 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
€ 10,00
€ 2,00 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 12,10
€ 2,42 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,00 | € 10,00 |
| 50 - 245 | € 1,15 | € 5,75 |
| 250 - 495 | € 0,822 | € 4,11 |
| 500+ | € 0,64 | € 3,20 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
16mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
49nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
