Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
16mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
49nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.2mm
Ilgis
6.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 14,25
€ 2,85 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 17,24
€ 3,448 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 14,25
€ 2,85 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 17,24
€ 3,448 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,85 | € 14,25 |
| 50 - 245 | € 1,70 | € 8,50 |
| 250 - 495 | € 1,20 | € 6,00 |
| 500+ | € 0,923 | € 4,62 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
16mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
49nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.2mm
Ilgis
6.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.