Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1kV
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
MDmesh, SuperMESH
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
6.8Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
18nC
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 71,25
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 86,21
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 71,25
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 86,21
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.2A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1kV
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
MDmesh, SuperMESH
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
6.8Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
18nC
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas